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中国LED网论坛 » LED外延芯片
版主:  Anna 
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 sunny3
管理员   142  2017/5/22 16:26:00
楼主
  一、LED芯片是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的芯片,芯片的一 端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个芯片被环氧树脂封装起来。半导体芯片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。LED芯片为LED的主要原材料,LED主要依靠芯片来发光。 LED芯片是在外延片上的基础上经过下面一系列流 程,最终完成如右图的成品-芯片。外延片→清洗→镀透明电极层透 (Indium Tin OxideITO)→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。                                  2LED芯片的组成元素     LED芯片的元素主要为III-V族元素,主要有砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)(IN)、磷(P)      (N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。

  3LED芯片的分类

     1)按发光亮度分A、一般亮度:R(红色GaAsP 655nm)H ( 高红GaP 697nm )G ( 绿色GaP 565nm )                 Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )B、高亮度:VG(较亮绿色GaP 565nm)VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm)           SR(较亮红色GaA/AS 660nm)C、超高亮度:UGUYURUYSURFUED、不可见光(红外线)RSIRVIRHIRE、红外线接收管:PTF、光电管:PD2)按组成元素分A、二元晶片(磷﹑镓)HGB、三元晶片(磷﹑镓﹑砷):SR(较亮红色GaA/AS 660nm) HR (超亮红色GaAlAs 660nm)        UR(最亮红色GaAlAs 660nm)C、四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)SRF( 较亮红色 AlGalnP )HRF(超亮红色 AlGalnP)        URF(最亮红色AlGalnP 630nm)VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)        HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)        UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)        HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) 3)按照制作工艺分LED芯片分为MB芯片,GB芯片,TS芯片,AS芯片等4
LED芯片定义特点
MB芯片Metal Bonding (金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利伟德 采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易 通过金属层来接合(wafer bonding)磊芯层和衬底,同时反 射光子,避免衬底的吸收 导电的Si衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力( 热系数相差3-4),更适应于高驱动电流领域 底部金属反射层,有利于光度的提升及散热 尺寸可加大,应用于High power 领域
GB芯片Glue Bonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利伟德 透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底 芯片四面发光,具有出色的Pattern 亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil) 双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
TS芯片transparent structure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利伟德 芯片工艺制作复杂,远高于AS LED 信赖性卓越 透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高 应用广泛
AS芯片Absorbable structure(吸收衬底)芯片,这里特指UECAS芯片 四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮 信赖性优良 应用广泛
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